泰思曼高壓電源在半導(dǎo)體測(cè)試的應(yīng)用
IGBT和MOS管等功率半導(dǎo)體在電子電力裝置和系統(tǒng)中扮演著“CPU”的角色，優(yōu)異的功率半導(dǎo)體可使設(shè)備達(dá)到高效節(jié)能的效果，近年來(lái)IGBT的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程也顯著加速，與之對(duì)應(yīng)的國(guó)產(chǎn)化測(cè)試設(shè)備也需求量旺盛。這類(lèi)測(cè)試設(shè)備早期由瑞士和意大利等國(guó)外品牌占據(jù)。
動(dòng)態(tài)、靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)是IGBT模塊研發(fā)和制造過(guò)程中重要的測(cè)試系統(tǒng)，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試指標(biāo)對(duì)器件性能最為重要。因?yàn)橹T如續(xù)流二極管的反向恢復(fù)參數(shù)，柵極-漏極、柵極-源極及漏極-源極的電容效應(yīng)等會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗，所以需要測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)性能。此外如浪涌電流和雪崩能量等極限測(cè)試也是衡量半導(dǎo)體器件的重要指標(biāo)。
而這些測(cè)試中，高精密的高壓電源是不可或缺的。泰思曼TD2202和TCM6006，具備快速平滑的上升沿，可編程的輸出波形獲得客戶的認(rèn)可。
