離子注入
超高穩(wěn)定度、超低紋波、過壓、過流、短路、拉弧和過溫等強大可靠保護作用
離子注入是一種將帶電離子（如硼、磷等）通過高壓電源加速成高能離子束，并精準轟擊材料（如硅片、金屬或陶瓷）表面的技術(shù)，用于改變材料表層的物理化學性質(zhì)。在半導體制造中，它通過向硅晶圓注入特定雜質(zhì)原子，實現(xiàn)晶體管漏區(qū)、阱區(qū)等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的可控摻雜；在材料領(lǐng)域，可提升工具硬度或光學器件性能。該技術(shù)核心優(yōu)勢在于摻雜深度、濃度及區(qū)域的高度精確可控，是微電子芯片和高端材料改性的關(guān)鍵工藝。