技術資源

直流脈沖高壓發(fā)生器的脈沖調控

一、脈沖調控的核心參數(shù)與需求直流脈沖高壓發(fā)生器的調控需圍繞脈沖幅度（kV 級）、脈沖寬度（ns-ms 級）、重復頻率（Hz-kHz 級）及上升

蝕刻設備高壓電源等離子體鞘層智能調節(jié)

在半導體蝕刻工藝中，等離子體鞘層（位于等離子體與工件間的電離層，厚度幾 μm - 幾十 μm）的特性直接決定蝕刻速率與均勻性。傳

準分子激光高壓電源氣體動力學優(yōu)化

準分子激光憑借短波長（193nm-351nm）特性，廣泛應用于半導體光刻與精密加工領域，其輸出性能依賴高壓電源與準分子氣體（ArF、KrF 等）的

光刻機高壓電源多維度 EMI 屏蔽

光刻機作為半導體制造的核心設備，其納米級光刻精度直接決定芯片良率，而高壓電源作為光刻機的動力核心，電磁干擾（EMI）是制約其性能的關

離子注入高壓電源脈沖序列混沌控制的應用實踐

離子注入是半導體器件制造中實現(xiàn)雜質精準摻雜的核心工藝，其通過高壓電源加速雜質離子（如硼、磷），使離子注入晶圓形成源漏極、柵極等關鍵

靜電卡盤高壓電源智能介質損耗補償技術及應用

在半導體晶圓制造的光刻、干法刻蝕等關鍵工藝中，靜電卡盤（ESC）承擔著晶圓精準夾持與溫度控制的核心功能，而高壓電源的輸出穩(wěn)定性直接影

電鏡高壓電源阿伏伽德羅常數(shù)級精度的應用探索

在納米科技與材料科學領域，透射電子顯微鏡（TEM）、掃描電子顯微鏡（SEM）的分辨率與分析精度，直接依賴電子束加速系統(tǒng)的穩(wěn)定性，而高壓電

準分子激光高壓電源光學 - 電學同步系統(tǒng)

準分子激光憑借 193nm 248nm 短波長、1-10ns 脈沖寬度的特性，廣泛應用于光刻膠刻蝕、材料表面改性，其高壓電源需為激光腔提供 20-50kV

光刻機高壓電源抗單粒子效應加固

光刻機作為半導體制造的核心設備，其高壓電源需為靜電吸盤（ESC）、光源驅動模塊提供 ±0 01% 精度的穩(wěn)定供電，而單粒子效應（SEE