技術(shù)資源
離子注入高壓電源能量時(shí)空分布控制
一、工藝需求與控制難點(diǎn)離子注入是半導(dǎo)體摻雜的核心工藝，通過將特定離子（如 B、P、As）加速至 1keV-1MeV 能量并注入晶圓，形成精確的
靜電卡盤高壓電源表面微等離子體抑制
一、應(yīng)用場(chǎng)景與問題成因靜電卡盤（ESC）是半導(dǎo)體制造（如刻蝕、薄膜沉積）中晶圓夾持的核心部件，通過高壓電源提供靜電力實(shí)現(xiàn)晶圓無接觸固
電鏡高壓電源超導(dǎo)量子干涉儀供電
一、應(yīng)用背景與技術(shù)需求電子顯微鏡（如透射電鏡 TEM、掃描電鏡 SEM）是材料微觀結(jié)構(gòu)表征的核心設(shè)備，其分辨率與加速電壓穩(wěn)定性直接相關(guān)；
蝕刻設(shè)備高壓電源工藝窗口智能尋優(yōu)技術(shù)及應(yīng)用
蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造中 圖形轉(zhuǎn)移 的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，需通過高壓電源驅(qū)動(dòng)等離子體（如 CF4、O2 等離子體）對(duì)晶圓表面材料進(jìn)行選擇性刻蝕，而
準(zhǔn)分子激光高壓電源放電通道智能調(diào)節(jié)技術(shù)及應(yīng)用
準(zhǔn)分子激光（如 KrF、ArF 激光）因短波長(zhǎng)（193-248nm）、高能量密度特性，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻、精密材料加工及醫(yī)療激光領(lǐng)域，而高壓電
光刻機(jī)高壓電源多諧振腔協(xié)同穩(wěn)壓技術(shù)及應(yīng)用
在先進(jìn)半導(dǎo)體制造中，光刻機(jī)作為 芯片印鈔機(jī)，其曝光精度直接決定芯片制程極限，而高壓電源作為光刻光源（如極紫外光 EUV）的能量核心，
離子注入高壓電源脈沖波形遺傳算法優(yōu)化
離子注入技術(shù)是半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)摻雜的核心工藝，離子注入高壓電源輸出的脈沖波形參數(shù)（如幅值、脈寬、上升沿 下降沿時(shí)間）直接影
X射線分析電源的元素分析精度再提升
在 X 射線熒光分析（XRF）、X 射線衍射（XRD）等元素分析技術(shù)中，高壓電源作為 X 射線管的核心驅(qū)動(dòng)部件，其輸出特性直接決定元素分析