技術(shù)資源
離子注入高壓電源智能故障自愈系統(tǒng)的應(yīng)用價值與技術(shù)實踐
在半導(dǎo)體制造的核心工藝鏈條中，離子注入技術(shù)是實現(xiàn)晶圓精準(zhǔn)摻雜的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而高壓電源作為該技術(shù)的能量核心，其運行穩(wěn)定性直接決定摻雜濃
靜電卡盤高壓電源多物理場協(xié)同控制
在半導(dǎo)體3nm及以下先進制程的晶圓加工中，靜電卡盤（ESC）是實現(xiàn)晶圓高精度定位與穩(wěn)定夾持的核心部件，其性能直接取決于高壓電源（HVPS）的
電鏡高壓電源量子隧穿效應(yīng)抑制技術(shù)探析
電子顯微鏡（以下簡稱電鏡）的高分辨率成像能力，核心依賴于高壓電源輸出的穩(wěn)定性與精準(zhǔn)度。在電鏡工作過程中，高壓電源需為電子槍提供10kV
蝕刻設(shè)備高壓電源射頻直流耦合優(yōu)化技術(shù)探析
在半導(dǎo)體制造的蝕刻工藝中，高壓電源作為等離子體生成與能量控制的核心部件，其射頻（RF）與直流（DC）信號的耦合性能直接決定蝕刻精度、速
離子注入高壓電源多脈沖動態(tài)同步技術(shù)的應(yīng)用與突破
在半導(dǎo)體先進制程演進中，離子注入作為實現(xiàn)精準(zhǔn)摻雜的核心工藝，其精度直接決定芯片電學(xué)性能與良率。高壓電源作為離子注入系統(tǒng)的能量中樞，
靜電卡盤高壓電源的納米級表面電位調(diào)控技術(shù)及應(yīng)用
在半導(dǎo)體晶圓制造、微機電系統(tǒng)（MEMS）加工等精密制造領(lǐng)域，靜電卡盤憑借無機械損傷、高吸附穩(wěn)定性的優(yōu)勢，成為超薄、超大尺寸工件精準(zhǔn)定位
離子注入高壓電源能量回收效率提升的技術(shù)路徑與應(yīng)用價值
在半導(dǎo)體制造的摻雜工藝中，離子注入技術(shù)憑借其摻雜精度高、可控性強的優(yōu)勢，成為先進芯片制造的核心環(huán)節(jié)之一。高壓電源作為離子注入機的能
靜電卡盤高壓電源智能動態(tài)均壓的應(yīng)用與技術(shù)價值
在半導(dǎo)體制造向3nm及以下先進工藝迭代的過程中，靜電卡盤（ESC）作為晶圓吸附與定位的核心組件，其性能直接決定光刻、刻蝕等關(guān)鍵工序的精度
電鏡高壓電源的飛秒級時間分辨率：技術(shù)突破與應(yīng)用拓展
在電子顯微鏡（以下簡稱電鏡）的技術(shù)體系中，高壓電源是控制電子束加速、聚焦與穩(wěn)定性的核心單元，其性能直接決定電鏡對微觀世界的觀測精度