技術(shù)資源
準(zhǔn)分子激光高壓脈沖調(diào)制技術(shù)：精密能量控制的核心突破
一、技術(shù)原理與核心挑戰(zhàn)準(zhǔn)分子激光以惰性氣體和鹵素氣體的受激二聚體為增益介質(zhì)，其躍遷發(fā)生在激發(fā)態(tài)（束縛態(tài)）與基態(tài)（自由態(tài)）之間，屬于
光刻機(jī)高壓電源的EMI抑制技術(shù)研究
引言光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其高壓電源（通常需提供數(shù)千伏電壓及毫安級電流）的穩(wěn)定性直接影響曝光精度。然而，高壓電源在開關(guān)過
電鏡高壓電源小型化趨勢的技術(shù)突破與應(yīng)用展望
一、小型化的技術(shù)驅(qū)動(dòng)因素材料創(chuàng)新推動(dòng)體積縮減 傳統(tǒng)電鏡高壓電源依賴笨重的電磁變壓器和線性穩(wěn)壓電路，而新型寬禁帶半導(dǎo)體（如氮化鎵、碳
高壓電源動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性在蝕刻工藝中的關(guān)鍵作用
一、動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性與蝕刻精度的關(guān)聯(lián)性在半導(dǎo)體蝕刻工藝中，高壓電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性（即系統(tǒng)對輸入信號變化的實(shí)時(shí)反饋能力）直接決定了蝕刻輪
高壓電源技術(shù)在極紫外光刻光源中的核心應(yīng)用與前沿突破
極紫外（EUV）光刻技術(shù)作為半導(dǎo)體制造進(jìn)入7納米以下制程節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵支撐，其核心在于高效、穩(wěn)定的13 5納米波長光源的生成。而實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的
離子注入機(jī)高壓模塊可靠性技術(shù)解析
離子注入機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其高壓模塊的性能直接決定了離子束的能量精度、分布均勻性及工藝穩(wěn)定性。在納米級芯片制造中，高壓模
蝕刻設(shè)備高壓電源的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在半導(dǎo)體制造中，等離子體蝕刻是定義納米級器件結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝，而高壓電源作為蝕刻設(shè)備的核心動(dòng)力源，其設(shè)計(jì)直接決定蝕刻精度與良率。隨著
準(zhǔn)分子激光器高壓脈沖電源技術(shù)演進(jìn)與應(yīng)用展望
一、技術(shù)背景準(zhǔn)分子激光器（工作波長范圍157-353 nm）作為深紫外波段的核心光源，其性能直接依賴于高壓脈沖電源的精度與可靠性。傳統(tǒng)電源