技術(shù)資源
靜電卡盤高壓電源瞬態(tài)過沖抑制技術(shù)研究
在半導體制造、精密儀器加工等領(lǐng)域，靜電卡盤（ESC）通過高壓靜電吸附實現(xiàn)晶圓或工件的無機械接觸固定，其核心驅(qū)動元件——高壓電源的穩(wěn)定
電鏡高壓電源超低漂移設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用
在電子顯微鏡（電鏡）系統(tǒng)中，高壓電源的穩(wěn)定性直接決定了成像質(zhì)量。高壓電源的微小漂移（如電壓波動、紋波或溫度漂移）會導致電子束能量偏
高壓電源阻抗匹配優(yōu)化在蝕刻設(shè)備中的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用
在半導體制造領(lǐng)域，蝕刻設(shè)備的高壓電源性能直接決定了工藝精度與設(shè)備穩(wěn)定性。高壓電源的輸出阻抗與等離子體腔室負載阻抗的匹配程度，是影響
離子注入高壓電源智能均流控制的技術(shù)突破與應(yīng)用
摘要離子注入是半導體制造中的核心工藝，其精度直接決定器件的電學特性與可靠性。高壓電源作為離子注入系統(tǒng)的動力心臟，其輸出穩(wěn)定性對雜質(zhì)
靜電卡盤高壓電源諧振抑制技術(shù)：原理與創(chuàng)新方案
在半導體制造工藝中，靜電卡盤（Electrostatic Chuck, ESC）是晶圓蝕刻、沉積等關(guān)鍵工序的核心夾具，其穩(wěn)定性直接決定工藝精度。高壓電源
離子注入高壓電源的輕載高效模式：技術(shù)突破與應(yīng)用價值
在半導體制造、新材料改性等領(lǐng)域，離子注入工藝常面臨輕載工況（如局部摻雜、微區(qū)修整或科研級小劑量注入），傳統(tǒng)高壓電源在此類場景下存在
靜電卡盤高壓電源絕緣老化監(jiān)測：技術(shù)要點與應(yīng)用價值
在半導體制造、電子顯微鏡等精密設(shè)備中，靜電卡盤（ESC）通過高壓電源產(chǎn)生的靜電場吸附工件，其絕緣性能的穩(wěn)定性直接決定工藝精度與設(shè)備安
電鏡高壓電源的快速關(guān)斷保護技術(shù)：精密設(shè)備的“安全閘門”
在電子顯微鏡（電鏡）等高端科研設(shè)備中，高壓電源的穩(wěn)定性直接決定了成像質(zhì)量與設(shè)備壽命。然而，電鏡工作時常因真空腔體內(nèi)的雜質(zhì)或微放電現(xiàn)
離子注入高壓電源浪涌抑制方法
在半導體制造工藝中，離子注入機的高壓電源系統(tǒng)需在毫秒級時間內(nèi)實現(xiàn)千伏級電壓的快速升壓，這一過程易因容性負載（如離子源與引出電極）產(chǎn)