技術(shù)資源
靜電卡盤高壓電源抗電弧設(shè)計的核心技術(shù)剖析
一、電弧產(chǎn)生機理與危害在半導體工藝中，靜電卡盤（ESC）通過高壓電源（典型參數(shù)：±5kV 10mA）產(chǎn)生靜電場吸附晶圓。然而，在真空或
電鏡高壓電源的高精度反饋調(diào)節(jié)技術(shù)研究與應(yīng)用
電鏡成像質(zhì)量直接依賴于高壓電源的穩(wěn)定性。當束流電壓波動超過±0 01%時，可能導致圖像分辨率顯著下降。因此，高精度反饋調(diào)節(jié)系統(tǒng)成
蝕刻設(shè)備高壓電源能量回收技術(shù)：原理、設(shè)計與應(yīng)用
一、技術(shù)背景與意義蝕刻設(shè)備在半導體、微電子及材料加工領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，但其高壓電源系統(tǒng)能耗巨大。傳統(tǒng)蝕刻過程中，約60%的能量轉(zhuǎn)化為廢熱
準分子激光高壓電源重復頻率控制關(guān)鍵技術(shù)研究
一、高重復頻率下的技術(shù)挑戰(zhàn)準分子激光器（如ArF、KrF等）在半導體光刻、精密微加工等領(lǐng)域需實現(xiàn)kHz級高重復頻率運行（通常達4–6kHz
靜電卡盤高壓電源電磁屏蔽設(shè)計
• 高壓電源設(shè)計挑戰(zhàn)：分析靜電卡盤電源系統(tǒng)的核心需求，包括電壓穩(wěn)定性、快速響應(yīng)和故障冗余設(shè)計，使用表格對比不同技術(shù)方案。•
電鏡高壓電源低噪聲拓撲優(yōu)化
電子顯微鏡（電鏡）的分辨率直接依賴于高壓電源的穩(wěn)定性。電源噪聲會導致電子束軌跡偏移，造成圖像模糊、細節(jié)丟失甚至數(shù)據(jù)失真。因此，高壓
蝕刻設(shè)備高壓電源故障自恢復技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用
在半導體制造工藝中，蝕刻設(shè)備依賴高壓電源（通常達千伏級）驅(qū)動等離子體生成，以實現(xiàn)納米級精度的晶圓蝕刻。然而，高壓電源在運行中易因打
光刻機高壓電源多級穩(wěn)壓方案的技術(shù)解析
光刻機作為半導體制造的核心裝備，其精度直接決定芯片的納米級結(jié)構(gòu)。在光刻工藝中，高壓電源為深紫外（DUV）或極紫外（EUV）光源提供驅(qū)動能