技術(shù)資源
離子注入高壓電源能效比提升策略
離子注入技術(shù)是半導(dǎo)體制造的核心工藝之一，其高壓電源系統(tǒng)的能效比直接影響芯片生產(chǎn)的能耗與經(jīng)濟(jì)性。本文從材料創(chuàng)新、系統(tǒng)控制優(yōu)化及熱管理
靜電卡盤高壓電源多物理場(chǎng)耦合仿真研究
摘要：隨著半導(dǎo)體制造工藝向亞納米精度發(fā)展，靜電卡盤（ESC）的電壓穩(wěn)定性與熱管理性能對(duì)晶圓形變控制至關(guān)重要。本文基于多物理場(chǎng)聯(lián)合仿真
準(zhǔn)分子激光高壓電源氣體放電控制的技術(shù)突破與應(yīng)用演進(jìn)
準(zhǔn)分子激光器（如ArF、KrF等）作為深紫外波段的核心光源，其性能高度依賴于高壓電源對(duì)氣體放電的精確控制。氣體放電的穩(wěn)定性、效率及壽命直
光刻機(jī)高壓電源諧波諧振防護(hù)的關(guān)鍵技術(shù)研究
光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心裝備，其高壓電源的穩(wěn)定性直接決定曝光精度和芯片良率。高壓電源為電子束偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)、離子光學(xué)單元提供能量，而負(fù)
離子注入高壓電源故障預(yù)測(cè)算法的應(yīng)用與進(jìn)展
離子注入是半導(dǎo)體制造的核心工藝，其高壓電源的穩(wěn)定性直接決定芯片良率。然而，高壓電源長(zhǎng)期處于高負(fù)載、強(qiáng)電場(chǎng)環(huán)境，易受電磁干擾、元器件
靜電卡盤高壓電源接觸電阻監(jiān)測(cè)的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用
在半導(dǎo)體制造工藝中，靜電卡盤（ESC）通過(guò)高壓電場(chǎng)吸附晶圓，其核心驅(qū)動(dòng)部件——高壓電源的穩(wěn)定性直接決定晶圓平整度與溫度均勻性。而高壓
電鏡高壓電源分布式供電架構(gòu)的技術(shù)演進(jìn)與應(yīng)用價(jià)值
電子顯微鏡（SEM TEM）的性能直接依賴于高壓電源的穩(wěn)定性。電鏡的電子槍需產(chǎn)生高能電子束（通常為1–300 kV）
光刻機(jī)高壓電源自適應(yīng)諧振補(bǔ)償技術(shù)研究
引言光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心裝備，其高壓電源的性能直接影響曝光精度與芯片良率。高壓電源需為電子束偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)、離子光學(xué)單元等關(guān)鍵部件
離子注入高壓電源的數(shù)字孿生監(jiān)測(cè)技術(shù)：突破精度與可靠性的新范式
在半導(dǎo)體制造、核工業(yè)及材料表面改性等領(lǐng)域，離子注入技術(shù)是實(shí)現(xiàn)材料性能精準(zhǔn)調(diào)控的核心工藝。高壓電源作為離子注入設(shè)備的心臟，其輸出穩(wěn)定