技術(shù)資源
準(zhǔn)分子激光高壓電源放電通道優(yōu)化的關(guān)鍵技術(shù)路徑
準(zhǔn)分子激光器作為深紫外波段的高功率光源，在光刻、微加工等領(lǐng)域具有不可替代的地位。其性能核心依賴于高壓電源放電通道的穩(wěn)定性與效率。放
光刻機(jī)高壓電源多電平轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用突破
光刻機(jī)作為集成電路制造的核心設(shè)備，其曝光精度直接依賴于高壓電源的穩(wěn)定性與純凈度。傳統(tǒng)兩電平電源方案存在輸出電壓紋波大、動(dòng)態(tài)響應(yīng)慢、
離子注入高壓電源的智能溫度補(bǔ)償技術(shù)
1 離子注入工藝的溫度敏感性離子注入是半導(dǎo)體制造的核心工藝，通過高能離子束轟擊芯片表面形成特定摻雜區(qū)域。該過程對(duì)溫度極為敏感：&bul
蝕刻設(shè)備高壓電源等離子體噪聲抑制技術(shù)研究
等離子體噪聲是半導(dǎo)體蝕刻工藝中的核心干擾源，表現(xiàn)為電源輸出波動(dòng)、電磁輻射及異常放電等現(xiàn)象，直接影響蝕刻均勻性、選擇比和器件良率。其
準(zhǔn)分子激光高壓電源氣體預(yù)電離控制技術(shù)研究
準(zhǔn)分子激光器（如ArF、KrF等）作為深紫外波段的高功率脈沖光源，在光刻、微加工、醫(yī)療等領(lǐng)域具有不可替代的地位。其工作依賴于高壓電源產(chǎn)生
光刻機(jī)高壓電源低紋波諧振拓?fù)浼夹g(shù)研究
光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其曝光精度直接決定芯片的線寬極限。高壓電源的紋波性能是影響曝光質(zhì)量的關(guān)鍵因素——紋波會(huì)引入電場(chǎng)擾動(dòng)
離子注入高壓電源瞬態(tài)過壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
離子注入是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，其高壓電源的穩(wěn)定性直接決定注入精度與設(shè)備安全。高壓電源在工作過程中易受瞬態(tài)過壓沖擊，例如負(fù)載突變
高頻振蕩抑制技術(shù)在靜電卡盤高壓電源中的突破性應(yīng)用
靜電卡盤作為半導(dǎo)體制造的核心組件，依賴高壓電源產(chǎn)生的靜電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)晶圓的非接觸式固定。然而，高壓電源在動(dòng)態(tài)負(fù)載下的高頻振蕩現(xiàn)象（通常由
高壓電源納米級(jí)紋波抑制技術(shù)在電鏡應(yīng)用中的突破
高壓電源的穩(wěn)定性直接影響透射電子顯微鏡（TEM）的成像精度。在納米級(jí)觀測(cè)中，輸出電壓的紋波必須控制在毫伏甚至微伏級(jí)別，否則會(huì)導(dǎo)致電子