技術(shù)資源
等離子體蝕刻設(shè)備中高壓電源的動態(tài)阻抗匹配技術(shù)
在半導(dǎo)體制造中，等離子體蝕刻設(shè)備的穩(wěn)定性直接決定晶圓加工的精度與良率。蝕刻工藝依賴高頻高壓電源（通常為13 56MHz 60MHz）激發(fā)反應(yīng)腔體
準(zhǔn)分子激光高壓電源脈沖串優(yōu)化技術(shù)及應(yīng)用
在準(zhǔn)分子激光系統(tǒng)中，高壓電源的脈沖串質(zhì)量直接決定了激光輸出的穩(wěn)定性、效率及應(yīng)用精度。傳統(tǒng)高壓電源受限于開關(guān)器件的性能，難以同時滿足
靜電卡盤高壓電源多區(qū)域獨立控制的技術(shù)演進與應(yīng)用價值
在半導(dǎo)體制造向更高精度、更大晶圓尺寸演進的過程中，靜電卡盤（ESC）作為晶圓固定與溫控的核心裝置，其性能直接影響刻蝕、薄膜沉積等工藝
電鏡高壓電源亞納米級穩(wěn)定技術(shù)
電子顯微鏡（電鏡）的分辨率已突破亞納米級（<0 2納米），成為材料科學(xué)、生命科學(xué)等領(lǐng)域解析物質(zhì)原子結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具。這一成就的基石是高壓
高壓電源工藝參數(shù)耦合在蝕刻設(shè)備中的核心作用
在半導(dǎo)體制造中，等離子體刻蝕是納米級圖形轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工藝，其精度直接決定器件的性能與良率。高壓電源作為等離子體的能量來源，通過精準(zhǔn)調(diào)
準(zhǔn)分子激光高壓電源電極壽命延長的關(guān)鍵技術(shù)路徑
準(zhǔn)分子激光器作為深紫外波段的核心光源，在半導(dǎo)體光刻、醫(yī)療消融等領(lǐng)域不可替代。其高壓電源電極在含氟等離子體的高頻放電環(huán)境中面臨嚴(yán)重腐
光刻機高壓電源故障快速定位技術(shù)研究
光刻機作為半導(dǎo)體制造的核心裝備，其高壓電源系統(tǒng)（輸出范圍通常達(dá)數(shù)萬至數(shù)百萬伏特）的穩(wěn)定性直接影響晶圓曝光精度。該電源長期處于高負(fù)載
電鏡高壓電源超低EMI屏蔽結(jié)構(gòu)的技術(shù)解析
電子顯微鏡（電鏡）的分辨率與成像質(zhì)量高度依賴其高壓電源的穩(wěn)定性。外部電磁干擾（EMI）會導(dǎo)致電子束偏轉(zhuǎn)、圖像模糊甚至數(shù)據(jù)失真。因此，
蝕刻設(shè)備高壓電源動態(tài)偏置調(diào)節(jié)：精密控制的核心突破
在半導(dǎo)體制造中，等離子體刻蝕工藝的納米級圖形轉(zhuǎn)移精度直接決定器件的性能和良率。高壓電源作為等離子體的能量來源，其動態(tài)偏置調(diào)節(jié)能力成