技術(shù)資源
高壓電源在蝕刻設(shè)備中的工藝氣體適配技術(shù)
在半導體干法刻蝕工藝中，工藝氣體的化學特性與高壓電源的能量調(diào)控能力共同決定了刻蝕精度與效率。工藝氣體通過電離生成活性基團（如自由基
準分子激光高壓電源放電穩(wěn)定性建模研究
準分子激光器作為半導體光刻、醫(yī)療等領(lǐng)域的關(guān)鍵光源，其輸出穩(wěn)定性直接取決于高壓電源放電過程的精確控制。放電穩(wěn)定性建模涉及氣體動力學、
光刻機高壓電源的自適應(yīng)諧振頻率控制技術(shù)
在高端光刻機中，高壓電源的穩(wěn)定性直接決定了曝光精度和系統(tǒng)可靠性。隨著光刻技術(shù)向更小線寬（如亞微米級）發(fā)展，高壓電源需在數(shù)千伏級電壓
離子注入高壓電源多脈沖序列控制的技術(shù)突破與應(yīng)用展望
離子注入技術(shù)是半導體制造、材料表面改性和精密器件加工的核心工藝之一。高壓電源作為離子注入設(shè)備的心臟，其性能直接影響注入離子的能量精
靜電卡盤高壓電源表面電荷動態(tài)平衡機制與技術(shù)挑戰(zhàn)
一、靜電卡盤的工作原理與電荷動態(tài)平衡基礎(chǔ)靜電卡盤（ESC）是半導體制造中的核心部件，通過高壓電源在電極層加載直流或射頻電壓，使絕緣介
準分子激光高壓電源電極腐蝕防護：材料挑戰(zhàn)與技術(shù)創(chuàng)新
準分子激光高壓電源是深紫外光刻、精密材料加工等高端裝備的核心部件，其電極在高壓放電過程中面臨復雜的腐蝕問題。腐蝕不僅降低電極導電性
光刻機高壓電源的粒子干擾屏蔽技術(shù)：挑戰(zhàn)與創(chuàng)新
在半導體制造中，光刻機是實現(xiàn)納米級電路圖案的核心設(shè)備，其高壓電源的穩(wěn)定性直接決定曝光精度與良率。然而，高能粒子（如宇宙射線、放射性
離子注入高壓電源的智能動態(tài)均壓技術(shù)
在半導體制造、光學鍍膜和材料表面改性等領(lǐng)域，離子注入技術(shù)依賴高壓電源提供穩(wěn)定的數(shù)十千伏級電場，以精確控制離子束的能量和軌跡。隨著工
靜電卡盤高壓電源多介質(zhì)層耐壓設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)與創(chuàng)新方向
在半導體制造、新能源及醫(yī)療設(shè)備等高端領(lǐng)域，靜電卡盤（Electrostatic Chuck, ESC）是實現(xiàn)高精度工藝的核心部件。其高壓電源系統(tǒng)需在真空