技術(shù)資源
電鏡高壓電源飛秒級脈沖調(diào)制技術(shù)：突破微觀成像的時(shí)空界限
電子顯微鏡（電鏡）作為探索物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)的核心工具，其分辨率與成像質(zhì)量高度依賴高壓電源的穩(wěn)定性和精度。傳統(tǒng)電鏡高壓電源雖能提供穩(wěn)定的
光刻機(jī)高壓電源的超高頻諧振穩(wěn)壓技術(shù)
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻機(jī)作為納米級圖案刻蝕的核心設(shè)備，其精度直接決定芯片性能與良品率。光刻機(jī)的高壓電源系統(tǒng)需為激光發(fā)生器、離子束控
離子注入高壓電源的梯度升壓動態(tài)控制技術(shù)
離子注入技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝，其精度直接影響器件的電學(xué)性能和良率。隨著半導(dǎo)體器件尺寸進(jìn)入納米級，傳統(tǒng)高壓電源的靜態(tài)輸出模式
高壓電源在靜電卡盤應(yīng)用中的瞬態(tài)電弧抑制算法研究
靜電卡盤作為半導(dǎo)體制造、平板顯示等精密設(shè)備的核心部件，依賴高壓電源（通常為數(shù)千伏）產(chǎn)生靜電場以吸附晶圓。然而，高壓環(huán)境下的瞬態(tài)電弧
量子化穩(wěn)壓技術(shù)：開啟電鏡高壓電源新紀(jì)元
在電子顯微鏡（EM）技術(shù)領(lǐng)域，高壓電源的穩(wěn)定性直接決定了成像質(zhì)量的上限。現(xiàn)代透射電鏡（TEM）的分辨率已突破至亞埃級（0 1 nm），而掃描
蝕刻設(shè)備高壓電源工藝窗口擴(kuò)展技術(shù)研究
在半導(dǎo)體制造中，等離子體蝕刻是決定微觀結(jié)構(gòu)精度的核心工藝，其工藝窗口（即允許參數(shù)波動的范圍）直接影響器件的良率和性能。高壓電源作為
離子注入高壓電源的智能功率分配技術(shù)
1 離子注入工藝對高壓電源的核心需求離子注入是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，通過將高能離子注入晶圓，改變材料的電學(xué)特性。該過程要求高壓
靜電卡盤高壓電源表面改性對吸附性能的影響機(jī)制
引言靜電卡盤（Electrostatic Chuck, ESC）作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵部件，依賴高壓電源產(chǎn)生的靜電場吸附晶圓。其性能直接影響刻蝕、離子注
電鏡高壓電源超導(dǎo)儲能供電方案：高精度與高穩(wěn)定性的技術(shù)革新
在電子顯微鏡（電鏡）等高端科研設(shè)備中，高壓電源的穩(wěn)定性直接決定了成像質(zhì)量與數(shù)據(jù)精度。傳統(tǒng)電源系統(tǒng)受限于響應(yīng)速度、能量損耗及電壓波動