技術(shù)資源
準(zhǔn)分子激光高壓電源重復(fù)精度提升方案
準(zhǔn)分子激光器作為深紫外波段的核心光源，在光刻、精密醫(yī)療及微納加工等領(lǐng)域不可或缺。其性能高度依賴高壓電源的重復(fù)精度——即輸出脈沖能量
光刻機(jī)高壓電源瞬態(tài)恢復(fù)特性研究
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻機(jī)的精度直接決定芯片的線寬極限與良率。作為光刻機(jī)的動(dòng)力心臟，高壓電源的瞬態(tài)恢復(fù)特性（即負(fù)載突變后電源恢復(fù)到設(shè)
離子注入高壓電源多級濾波網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
離子注入技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，其核心設(shè)備依賴超高壓直流電源（通常達(dá)數(shù)百千伏）提供離子加速能量。此類電源的穩(wěn)定性直接決定注入
靜電卡盤高壓電源電弧檢測算法優(yōu)化
靜電卡盤作為半導(dǎo)體制造、精密儀器組裝的核心部件，依賴高壓電源產(chǎn)生的靜電場實(shí)現(xiàn)工件的非接觸式固定。然而，高壓環(huán)境易引發(fā)電弧故障，輕則
離子注入高壓電源的自適應(yīng)脈沖調(diào)制技術(shù)：精密制造的突破性革新
在半導(dǎo)體制造、材料表面改性及先進(jìn)醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域，離子注入技術(shù)是調(diào)控材料性能的核心工藝。其核心挑戰(zhàn)在于如何精確控制離子的能量、深度和
高壓電源多參數(shù)協(xié)同控制在半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備中的應(yīng)用研究
引言在半導(dǎo)體制造中，等離子體蝕刻是決定器件精度的核心工藝之一。蝕刻設(shè)備的高壓電源系統(tǒng)直接控制等離子體的密度、能量分布及反應(yīng)活性，其
準(zhǔn)分子激光高壓電源氣體純度影響分析
準(zhǔn)分子激光器（如ArF、KrF、XeCl等）依靠高壓電源驅(qū)動(dòng)氣體放電，產(chǎn)生高能紫外激光束，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻、醫(yī)療手術(shù)、精密加工等領(lǐng)域。氣
高精度光刻機(jī)高壓電源的瞬態(tài)諧波消除技術(shù)
半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵挑戰(zhàn)與創(chuàng)新解決方案在極紫外（EUV）光刻技術(shù)主導(dǎo)的半導(dǎo)體制造中，高壓電源的瞬態(tài)諧波控制直接決定光刻精度與良率。瞬態(tài)諧
離子注入高壓電源的智能梯度調(diào)節(jié)技術(shù)研究與應(yīng)用
離子注入作為半導(dǎo)體制造的核心工藝之一，其精度直接影響器件的電學(xué)性能和良率。傳統(tǒng)高壓電源在離子注入過程中存在兩大痛點(diǎn)：一是注入能量的