技術(shù)資源
靜電卡盤高壓電源表面電荷監(jiān)測技術(shù)及其在半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵作用
1 靜電卡盤的工作原理與表面電荷的生成機制靜電卡盤（ESC）通過高壓電源在電極上施加直流電壓（通常為500–4000 V），使晶片與介電
準(zhǔn)分子激光高壓電源放電延遲校正技術(shù)研究
摘要準(zhǔn)分子激光器在半導(dǎo)體光刻、眼科手術(shù)等領(lǐng)域具有不可替代的作用，其輸出脈沖的時序精度直接影響工藝質(zhì)量。高壓電源作為驅(qū)動核心，放電延
光刻機高壓電源電磁兼容強化方案
光刻機作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其高壓電源的電磁兼容性（EMC）直接影響曝光精度與系統(tǒng)穩(wěn)定性。高壓電源在工作時產(chǎn)生的瞬態(tài)干擾、諧波噪
離子注入高壓電源的動態(tài)負載補償技術(shù)：精密制造的核心突破
在半導(dǎo)體制造中，離子注入是定義器件電學(xué)特性的關(guān)鍵工藝，其精度直接影響芯片的性能與良率。離子注入機的高壓電源系統(tǒng)需為離子加速提供穩(wěn)定
靜電卡盤高壓電源介質(zhì)損耗抑制技術(shù)研究
在半導(dǎo)體制造工藝中，靜電卡盤（ESC）通過高壓電場吸附晶圓，其電源系統(tǒng)的性能直接影響工藝精度與穩(wěn)定性。介質(zhì)損耗作為高壓電源的核心問題
高壓電源的疾速脈搏：電鏡高壓電源亞毫秒級響應(yīng)技術(shù)剖析
電子顯微鏡（EM）對物質(zhì)微觀世界的揭示能力，其核心驅(qū)動力之一在于高壓電源（High Voltage Power Supply, HVPS）的卓越表現(xiàn)。傳統(tǒng)HVPS
光刻機高壓電源的多級隔離設(shè)計
引言光刻機作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其高壓電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性直接決定曝光精度與芯片良率。尤其在極紫外（EUV）光刻機中，激光等離子體光
離子注入高壓電源梯度升壓技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用
1 技術(shù)原理與核心機制離子注入高壓電源梯度升壓技術(shù)通過動態(tài)調(diào)節(jié)加速電壓（范圍覆蓋kV至MeV），實現(xiàn)離子在材料內(nèi)部濃度的縱向梯度分布。
靜電卡盤高壓電源擊穿防護機制研究
靜電卡盤作為半導(dǎo)體制造、精密加工等領(lǐng)域的關(guān)鍵部件，依賴高壓電源提供靜電場以實現(xiàn)工件的無損固定。然而，高壓環(huán)境下的介質(zhì)擊穿問題可能引