技術(shù)資源
高精度蝕刻設(shè)備中高壓電源的動(dòng)態(tài)功率因數(shù)校正技術(shù)
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，蝕刻設(shè)備的穩(wěn)定性和能效直接決定工藝精度與生產(chǎn)成本。高壓電源作為蝕刻工藝的核心能源單元，其電能質(zhì)量直接影響等離子體
準(zhǔn)分子激光高壓電源脈沖能量閉環(huán)控制技術(shù)研究
一、技術(shù)挑戰(zhàn)與核心需求準(zhǔn)分子激光器（如ArF、KrF）作為深紫外波段的核心光源，在光刻、微納加工等領(lǐng)域需滿足高重頻（kHz級(jí)）、窄線寬（E95
光刻機(jī)高壓電源諧振能量回收技術(shù)：半導(dǎo)體制造的能效革命
引言光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其高壓電源系統(tǒng)為紫外光源（如極紫外光EUV）提供穩(wěn)定能量。傳統(tǒng)高壓電源在運(yùn)行中產(chǎn)生大量諧波，不僅
離子注入高壓電源智能故障預(yù)警系統(tǒng)設(shè)計(jì)
在半導(dǎo)體制造工藝中，離子注入機(jī)的高壓電源系統(tǒng)需提供數(shù)萬(wàn)至數(shù)百萬(wàn)伏特的穩(wěn)定電壓，其可靠性直接決定晶圓摻雜質(zhì)量。然而，高壓電源長(zhǎng)期處于
高壓電源工藝自適應(yīng)技術(shù)在蝕刻設(shè)備中的創(chuàng)新應(yīng)用
在半導(dǎo)體制造中，等離子體蝕刻是定義納米級(jí)器件的核心工藝，其精度直接影響芯片的性能與良率。高壓電源作為蝕刻設(shè)備的能量核心，需在復(fù)雜多
準(zhǔn)分子激光高壓電源放電穩(wěn)定性控制關(guān)鍵技術(shù)
準(zhǔn)分子激光器（如ArF、KrF等）作為深紫外波段的核心光源，在半導(dǎo)體光刻、微加工和醫(yī)療領(lǐng)域具有不可替代的地位。其性能直接依賴于高壓電源的
光刻機(jī)高壓電源輻射噪聲抑制方法
光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其高壓電源的輻射噪聲會(huì)干擾精密光學(xué)系統(tǒng)和控制電路，導(dǎo)致晶圓曝光缺陷。輻射噪聲主要源于開(kāi)關(guān)電源的高頻
離子注入高壓電源動(dòng)態(tài)電壓補(bǔ)償系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用價(jià)值
在半導(dǎo)體制造工藝中，離子注入設(shè)備是定義芯片電學(xué)特性的核心裝備，其高壓電源（通常輸出達(dá)–40 kV、400 W）需維持極高穩(wěn)定性。然而
靜電卡盤高壓電源介質(zhì)界面優(yōu)化研究
靜電卡盤（Electrostatic Chuck, ESC）作為半導(dǎo)體制造中的核心部件，其性能依賴于高壓電源與介質(zhì)界面的協(xié)同作用。介質(zhì)界面作為靜電場(chǎng)傳遞