技術(shù)資源
光刻機(jī)高壓電源抗干擾設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)
光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其高壓電源的穩(wěn)定性直接決定曝光精度與芯片良率。然而，高壓電源在運(yùn)行時(shí)易受電磁干擾（EMI）、地線噪聲
電鏡高壓電源低紋波優(yōu)化技術(shù)研究與應(yīng)用進(jìn)展
高壓電源的紋波控制是透射電子顯微鏡（TEM）性能的核心指標(biāo)之一。紋波（輸出電壓的周期性波動(dòng)）會(huì)直接影響電子束的穩(wěn)定性，導(dǎo)致圖像分辨率
蝕刻設(shè)備高壓電源諧波抑制技術(shù)研究與應(yīng)用
一、諧波成因與危害蝕刻設(shè)備的高壓電源在工作時(shí)需將工頻交流電轉(zhuǎn)換為高頻高壓電能，其核心的整流與逆變電路（如IGBT、SiC器件）在開(kāi)關(guān)過(guò)程
準(zhǔn)分子激光高壓電源模塊化研究
準(zhǔn)分子激光器作為深紫外波段的核心光源，在光刻、醫(yī)療和精密加工等領(lǐng)域具有不可替代的作用。其性能高度依賴高壓電源的穩(wěn)定性與響應(yīng)速度。傳
高壓驅(qū)動(dòng)技術(shù)在深紫外光刻光源中的核心應(yīng)用與挑戰(zhàn)
光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其性能直接取決于光源系統(tǒng)的精度與穩(wěn)定性。深紫外（DUV）光源（波長(zhǎng)193nm 248nm）是目前先進(jìn)芯片制程的關(guān)
離子注入高壓電源瞬態(tài)保護(hù)設(shè)計(jì)
離子注入機(jī)是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備，其高壓電源需提供數(shù)萬(wàn)至數(shù)百萬(wàn)伏特的穩(wěn)定電壓，以精確控制雜質(zhì)離子注入晶片的深度和濃度。然而，高壓電
靜電卡盤(pán)高壓絕緣材料的關(guān)鍵技術(shù)研究
一、高壓絕緣材料的核心要求電學(xué)性能高介電強(qiáng)度：絕緣層需承受1 5–5 kV mm的高壓電場(chǎng)，防止擊穿失效。例如，氮化鋁（AlN）陶瓷的介
電鏡高壓電源精密控制技術(shù)的突破與挑戰(zhàn)
電子顯微鏡（EM）作為納米級(jí)觀測(cè)的核心工具，其分辨率直接依賴高壓電源的穩(wěn)定性。高壓電源為電子槍提供加速電壓（通常為幾千伏至幾百千伏）
高頻高壓電源在半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備中的關(guān)鍵設(shè)計(jì)與應(yīng)用
一、高頻高壓電源的技術(shù)原理高頻高壓電源是蝕刻設(shè)備的核心部件，其設(shè)計(jì)基于高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)與諧振轉(zhuǎn)換原理：電能轉(zhuǎn)換機(jī)制：通過(guò)功率開(kāi)關(guān)器件（